6G试验启新程！赛思100MHz信号相位噪声突破-170.03dBc@1KHz

晶振是电子设备的“心脏"，相位噪声则是衡量信号频谱纯度和系统底噪的核心参数。尤其对电子设备而言，低相噪参考源如同系统的“纯净血液"，直接决定了设备的抗干扰能力、测量灵敏度与通信可靠性，是5G-A/6G、雷达、卫星通信等领域设备的核心刚需。

当前国内时频领域，100MHz OCXO常规产品 1kHz相位噪声普遍为-159dBc/Hz左右，即便是中G端产品，也长期卡在-160～-165dBc/Hz 区间，与国际水平存在明显代差。放眼全球，国际主流G端产品1kHz相位噪声多集中在-168～-172dBc/Hz，远端相噪常规值约为-177dBc/Hz。

赛思100MHz OCXO不仅以-170.03dBc/Hz@1kHz的实测性能跻身行列，更凭借-187.34dBc/Hz@1MHz的远端相噪表现，远超行业本底噪声限值，彰显出赛思 “智造" 的硬实力。

传统认知中，晶振的超低相噪常伴随高功耗、大体积、窄温区问题。面对6G“黄金频段"的频谱纯度要求，以及AI-RAN、通感融合等新场景的时频精度挑战，赛思100MHz OCXO在实现超低相噪的同时，兼顾多项工程实用指标，达成“高性能+便捷实用"双重提升，适配多场景应用。

● 高频率稳定度：秒稳达8E-14/s，信号输出精准稳定，为G端装备打造“超高稳度信号心脏"；

● 宽温适应：支持-40~+85℃至- 55~+105℃工作温度范围，适配工作环境；

● 多规格适配：封装覆盖插件（DIP）、贴片（SMD）全类型，涵盖从92*82*92mm到7.7*5.5*3.3mm等9款尺寸，输出波形包含正弦波、方波，电压可选3.3V/5V/12V，适配不同硬件集成需求。

● 纯国产自研：具备替代进口同类产品的能力，且通过元器件国产化认证，核心技术与关键物料均实现自主可控。

赛思OCXO选型手册

此次100MHz OCXO的相噪突破，既是赛思在时频技术领域的阶段性成果，也是国产时频器件追赶水平的重要一步。

作为深耕时频领域的企业，赛思始终以技术创新为核心，聚焦G端时频领域“卡脖子"难题，在核心技术研发上持续投入、久久为功。依托自营的36,000㎡工厂，赛思系列晶振产品已实现规模化、自动化生产，可保障持续稳定供应，让国产时频“芯"真正扎根G端装备领域。

赛思部分晶振产线

从核心技术自研到全栈性能突破，从工程适配到国产化替代，赛思以硬核创新助力国产时频产业突围。未来，赛思将持续聚焦时频产品研发，不断突破技术边界，为我国电子信息产业高质量发展贡献更多 “芯" 力量。